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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0776834 (2010-05-10) |
등록번호 | US-8237174 (2012-08-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
The present invention discloses an LED structure, wherein an N-type current spreading layer is interposed between N-type semiconductor layers to uniformly distribute current flowing through the N-type semiconductor layer. The N-type current spreading layer includes at least three sub-layers stacked
1. A light emitting diode structure, comprising: a substrate;an N-type semiconductor layer formed on the substrate;a light emitting layer formed on the N-type semiconductor layer; anda P-type semiconductor layer formed on the light emitting layer, wherein the N-type semiconductor layer includes at l
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