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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0504269 (2009-07-16) |
등록번호 | US-8360001 (2013-01-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 223 |
Chemical vapor deposition processes utilize chemical precursors that allow for the deposition of thin films to be conducted at or near the mass transport limited regime. The processes have high deposition rates yet produce more uniform films, both compositionally and in thickness, than films prepare
1. A chemical vapor deposition system comprising: a deposition chamber having a substrate positioned therein;a vessel containing trisilane;a feed line operatively connecting the vessel to the chemical vapor deposition chamber to allow passage of the trisilane from the vessel to the chemical vapor de
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