[특허]Electrostatic discharge (ESD) silicon controlled rectifier (SCR) structure

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Electrostatic discharge (ESD) silicon controlled rectifier (SCR) structure 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/66 H01L-023/62
출원번호	US-0196404 (2011-08-02)
등록번호	US-8373267 (2013-02-12)
발명자 / 주소	Gauthier, Jr., Robert J. Li, Junjun Srivastava, Ankit
출원인 / 주소	International Business Machines Corporation
인용정보	피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 18

초록

A structure includes first and second silicon controlled rectifiers (SCRs) formed in a substrate. The first and the second SCRs each include at least one component commonly shared between the first and the second SCRs.

대표청구항 ▼

1. A bi-directional electrostatic discharge (ESD) structure comprising: first and second silicon controlled rectifiers (SCRs) formed in a substrate, wherein the first and the second SCRs each comprise at least one component commonly shared between the first and the second SCRs, wherein the at least one commonly shared component comprises an NPN collector. 2. The structure of claim 1, wherein the at least one commonly shared component further comprises a trigger network. 3. The structure of claim 1, wherein the at least one commonly shared component comprises a PNP base. 4. The structure of claim 3, wherein the at least one commonly shared component further comprises a trigger network.

이 특허에 인용된 특허 (18)

Chen Wayne T. ; Teggatz Ross E. ; Chen Julian Z., Asymmetrical, bidirectional triggering ESD structure.
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Vashchenko, Vladislav; Concannon, Ann; Hopper, Peter J.; ter Beek, Marcel, Bi-directional ESD protection structure for BiCMOS technology.
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Chang, Chyh-Yih, Bi-directional silicon controlled rectifier for electrostatic discharge protection.
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Vashchenko,Vladislav; Concannon,Ann; Hopper,Peter J.; ter Beek,Marcel, Complementary vertical SCRs for SOI and triple well processes.
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Liu, Meng-Huang; Lai, Chun-Hsiang; Su, Shin; Lu, Tao-Cheng, ESD protection apparatus and method for dual-polarity input pad.
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Ta-Lee Yu TW, ESD protection circuit triggered by diode.
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Lai,Chun Hsiang; Yeh,Yen Hung; Lu,Chia Ling, Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor circuit therewith.
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Salcedo,Javier A.; Liou,Juin J.; Bernier,Joseph C.; Whitney,Donald K., Electrostatic discharge protection device for digital circuits and for applications with input/output bipolar voltage much higher than the core circuit power supply.
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Salcedo,Javier A.; Liou,Juin J.; Bernier,Joseph C.; Whitney,Donald K., Electrostatic discharge protection device for digital circuits and for applications with input/output bipolar voltage much higher than the core circuit power supply.
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Ramakrishnan Shankar, Electrostatic discharge protection for analog switches.
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Wyland David C., Fast transmission gate switch.
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Zdebel,Peter J.; Dow,Diann Michelle, High energy ESD structure and method.
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Sorgeloos, Bart, High trigger current silicon controlled rectifier.
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Wang Albert Z. H. ; Tsay Chen H. ; Deane Peter, Method for manufacturing a dual-direction over-voltage and over-current IC protection device and its cell structure.
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Sato,Koichi, Semiconductor device having electrostatic destruction protection circuit using thyristor as protection element.
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Ker Ming-Dou,TWX ; Chang Hun-Hsien,TWX, Whole-chip ESD protection for CMOS ICs using bi-directional SCRs.
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이 특허를 인용한 특허 (1)

Lin, Chun-Yu; Ker, Ming-Dou; Wang, Wen-Tai, Silicon controlled rectifier.
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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