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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0487051 (2012-06-01) |
등록번호 | US-8512818 (2013-08-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 147 |
A highly tensile dielectric layer is generated on a heat sensitive substrate while not exceeding thermal budget constraints. Cascaded ultraviolet (UV) irradiation is used to produce highly tensile films to be used, for example, in strained NMOS transistor architectures. Successive UV radiation of eq
1. A method of treating a layer of material on a substrate comprising: exposing the layer to ultraviolet (UV) radiation comprising a first wavelength or first wavelength range; andrepeating the exposing operation one or more times with exposure to UV radiation, the UV radiation in each exposing oper
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