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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0457279 (2009-06-05) |
등록번호 | US-8574445 (2013-11-05) |
우선권정보 | KR-10-2008-0073822 (2008-07-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 14 |
Provided are a method for generating hollow cathode plasma and a method for treating a large area substrate using the hollow cathode plasma. In the methods, the hollow cathode plasma is generated by a gas introduced between a hollow cathode in which a plurality of lower grooves where plasma is gener
1. A method for treating a large area substrate using hollow cathode plasma, the method comprising: supplying a gas through an inflow hole defined in a hollow cathode,generating a hollow cathode plasma by introducing the gas between the hollow cathode in which a plurality of lower grooves where plas
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