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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0905675 (2010-10-15) |
등록번호 | US-8766341 (2014-07-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 4 |
The embodiments disclosed herein relate to growth of magnesium-oxide on a single crystalline substrate of germanium. The embodiments further describes a method of manufacturing and crystalline structure of a FM/MgO/Ge(001) heterostructure. The embodiments further related to method of manufacturing a
1. A method for creating a heterostructure comprising: providing a substrate having a first layer, wherein the first layer includes a substantially single crystalline germanium (Ge);placing the substrate into a molecular beam epitaxy chamber;annealing the substrate; anddepositing a second layer onto
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