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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0926077 (2010-10-25) |
등록번호 | US-8986446 (2015-03-24) |
우선권정보 | JP-2005-104995 (2005-03-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 5 |
This invention provides an Si doped GaAs single crystal ingot, which has a low crystallinity value as measured in terms of etch pit density (EPD) per unit area and has good crystallinity, and a process for producing the same. An Si-doped GaAs single crystal wafer produced in a latter half part in th
1. An Si-doped GaAs single crystal ingot for producing an Si-doped GaAs single crystal wafer, wherein the Si-doped GaAs single crystal ingot is one in which C0.8/C0.1<2.0, where C0.1 is the carrier concentration in a portion in which the solidification ratio of said ingot is 0.1, and C0.8 is the car
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