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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0483074 (2012-05-30) |
등록번호 | US-9136170 (2015-09-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 11 |
A through silicon via structure is located in a recess of a substrate. The through silicon via structure includes a barrier layer, a buffer layer and a conductive layer. The barrier layer covers a surface of the recess. The buffer layer covers the barrier layer. The conductive layer is located on th
1. A through silicon via structure located in a recess of a substrate, comprising: a barrier layer covering the surface of the recess;a buffer layer having a top surface with different smoothness from a bottom surface covering the barrier layer; anda conductive layer located on the buffer layer and
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