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연합인증

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반도체 하이브리드 식각 장치 및 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/67
  • B08B-003/02
  • B23K-026/14
  • B23K-026/362
출원번호 10-2020-0030416 (2020-03-11)
공개번호 10-2021-0114809 (2021-09-24)
등록번호 10-2386130-0000 (2022-04-08)
DOI http://doi.org/10.8080/1020200030416
발명자 / 주소
  • 김대희 / 경기도 성남시 분당구 성남대로 ** 분당포스빌오피스텔 A동 ***호
  • 윤용혁 / 경기도 용인시 수지구 진산로 *** 진산마을삼성래미안*차아파트 ***동 ***호
출원인 / 주소
  • 주식회사 지티아이코리아 / 경기도 용인시 기흥구 농서로***번길 **(농서동)
대리인 / 주소
  • 김민규
심사청구여부 있음 (2020-03-11)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명의 반도체 하이브리드 식각 방법은 플랫폼, 플랫폼 내부에 배치된 제1식각 챔버를 구비하는 제1식각 유니트 및 플랫폼 내부에 배치된 제2식각 챔버를 구비하는 제2식각 유니트 포함하는 반도체 하이브리드 식각 장치에 있어서, 제1식각 챔버내에서 웨이퍼의 전면에 대해 다이렉트 레이저 조사방식을 이용한 1차 베벨 식각 공정을 수행하는 단계; 제2식각 챔버에서 상기 웨이퍼의 상기 베벨 영역의 배면 또는 상기 웨이퍼의 배면 전체에 대해 2차 베벨 식각 공정을 수행하는 단계; 및 상기 웨이퍼에 대한 세정 공정을 상기 제2식각 챔버에서 진행

대표청구항

플랫폼; 상기 플랫폼 내부에 배치되어, 웨이퍼에 대하여 제1식각 공정이 수행되는 제1식각 챔버를 구비하는 제1식각 유니트; 상기 플랫폼 내부에 배치되어, 상기 웨이퍼에 대하여 상기 제1식각 공정과는 다른 방식의 제2식각 공정이 수행되는 제2식각 챔버를 구비하는 제2식각 유니트; 상기 제1 및 제2식각 유니트간에 형성된 웨이퍼 이송 통로에 배치되어, 상기 제1 및 제2식각 유니트간에 상기 웨이퍼 이송 통로를 경유하여 상기 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송 수단을 포함하고,상기 제1식각 챔버내에서 상기 웨이퍼의 베벨 영역의 전면에 대하여

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. [한국] 박막의 습식에 칭 방법 | 구도 히로유키, 요네미즈 아키라, 다니야마 히로키, 야마사카 미야코
  2. [한국] 기판 배면 처리 장치 및 방법 | 이우석, 김우영
  3. [한국] 건식처리와 습식처리를 위한 하이브리드 기판처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법 | 최대규, 왕, 후이, 첸, 후핑, 왕, 지, 장, 지엔, 지아, 쉐나
  4. [미국] METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE EDGES | Harte, Kenneth J., Millman, JR., Ronald P., Chaplick, Victoria M., Elliott, David J., Degenkolb, Eugene O., Tardif, Murray L.
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