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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0697252 (2015-04-27) |
등록번호 | US-9239520 (2016-01-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 78 |
A system and method for reducing defects in photoresist processing is provided. An embodiment comprises cleaning the photoresist after development using an alkaline environment. The alkaline environment may comprise a neutral solvent and an alkaline developer. The alkaline environment will modify th
1. A method of manufacturing a semiconductor device, the method comprising: developing a photoresist over a substrate, wherein after the developing the photoresist a surface of the photoresist is hydrogen bonded to residue; andremoving the hydrogen bonding by applying an alkaline environment to the
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