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Gas delivery system for outputting fast square waves of process gas during semiconductor processing 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • F15B-021/12
  • G05D-007/06
출원번호 US-0183494 (2014-02-18)
등록번호 US-9448564 (2016-09-20)
발명자 / 주소
  • Mudd, Daniel T.
  • Mudd, Patti J
출원인 / 주소
  • RENO TECHNOLOGIES, INC.
대리인 / 주소
    The Belles Group, P.C.
인용정보 피인용 횟수 : 0  인용 특허 : 21

초록

A wave generation component during an off cycle when the on-off valve is closed to build pressure from the process gas in an accumulation volume. During an on cycle when the on-off valve is open the wave generation component releases the process gas according to a time constant. A flow restrictor in

대표청구항

1. A gas delivery apparatus to output a process gas to a semiconductor process as rapid square waves by increasing a time constant to a desired time constant, comprising: an enclosure attached to a base with a conduit channeling through the base to receive a supply of the process gas and output the

이 특허에 인용된 특허 (21)

  1. Ma, Paul; Shah, Kavita; Wu, Dien-Yeh; Ganguli, Seshadri; Marcadal, Christophe; Wu, Frederick C.; Chu, Schubert S., Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition.
  2. Ma, Paul; Shah, Kavita; Wu, Dien-Yeh; Ganguli, Seshadri; Marcadal, Christophe; Wu, Frederick C.; Chu, Schubert S., Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition.
  3. Lam, Hyman W. H.; Zheng, Bo; Ai, Hua; Jackson, Michael; Yuan, Xiaoxiong; Wang, Hougong; Umotoy, Salvador P.; Yu, Sang Ho, Apparatuses and methods for atomic layer deposition.
  4. Lam, Hyman; Zheng, Bo; Ai, Hua; Jackson, Michael; Yuan, Xiaoxiong (John); Wang, Hou Gong; Umotoy, Salvador P.; Yu, Sang Ho, Apparatuses and methods for atomic layer deposition.
  5. Myo, Nyi Oo; Choi, Kenric; Kher, Shreyas; Narwankar, Pravin; Poppe, Steve; Metzner, Craig R.; Deaten, Paul, Apparatuses for atomic layer deposition.
  6. Kobayashi, Shinya; Shibuya, Takeshi, Electrophotography apparatus having edge detection of toner patch and exposure control.
  7. Glime,William H., Flow control device.
  8. Nishimura, Yasunori, Flow rate controller and proportional electromagnetic valve.
  9. Choate J. Robert (P.O. Box 2409 Rochester NH 03867), Fluid control system.
  10. White, William W.; White, William H.; Davis, Christopher B.; Smith, Nelson D., Fluid flow controller and method of operation.
  11. Suntola Tuomo,FIX ; Lindfors Sven,FIX, Method for growing thin films.
  12. Lindfors, Sven; Soininen, Pekka T., Method of growing a thin film onto a substrate.
  13. Lindfors,Sven; Soininen,Pekka T., Method of growing a thin film onto a substrate.
  14. Myo, Nyi Oo; Cho, Kenric; Kher, Shreyas; Narwankar, Pravin; Poppe, Steve; Metzner, Craig R.; Deaten, Paul, Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials.
  15. Xiao, Manchao; Yang, Liu; Cuthill, Kirk Scott; Bowen, Heather Regina; Han, Bing; O'Neill, Mark Leonard, Methods for depositing silicon dioxide or silicon oxide films using aminovinylsilanes.
  16. Sangam, Kedarnath; Nguyen, Anh N., Process gas delivery for semiconductor process chamber.
  17. Sangam, Kedarnath; Nguyen, Anh N., Process gas delivery for semiconductor process chambers.
  18. Cripps, Brian M.; Mudge, Dennis; Wilson, Kevin, Solenoid valve.
  19. Feldman, Joel; Sulcs, Peter; Zeiler, Daniel E.; Hayes, II, Charles W.; Hasak, David; Waller, Yancy J., Valve actuator with vent.
  20. Robertson, III, Walter Dennis; McNichols, Thomas John; Kramer, Stephen R., Valve assembly.
  21. Brown,Ronnie; DeLisio,Carmen J.; Scheffel,Gary; Stedman,David; Timko,Jared, Valve with adjustable stop.
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