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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0560232 (2014-12-04) |
등록번호 | US-9466476 (2016-10-11) |
우선권정보 | JP-2010-290565 (2010-12-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
A film-forming method includes forming a tungsten film or a tungsten oxide film on an object to be processed, forming a seed layer on the tungsten film or the tungsten oxide film, and forming a silicon oxide film on the seed layer, wherein the seed layer formed on the tungsten film or the tungsten o
1. A film-forming method of forming a silicon oxide film, the film-forming method comprising: forming a tungsten film or a tungsten oxide film on a surface of a silicon wafer, the tungsten film or the tungsten oxide film having a first exposed surface and the silicon wafer having a second exposed su
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