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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0627750 (2015-02-20) |
등록번호 | US-9793256 (2017-10-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 18 |
A transient-voltage suppressing (TVS) device disposed on a semiconductor substrate including a low-side steering diode, a high-side steering diode integrated with a main Zener diode for suppressing a transient voltage. The low-side steering diode and the high-side steering diode integrated with the
1. A method for manufacturing a transient voltage suppressing (TVS) device comprising: a) growing a first lightly doped epitaxial layer of a first conductivity type on top of a heavily doped substrate of the first conductivity type followed by applying a first implant mask to implant a buried region
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