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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0285570 (2016-10-05) |
등록번호 | US-9892915 (2018-02-13) |
우선권정보 | KR-10-2015-0185961 (2015-12-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 2 |
A manufacturing method of a semiconductor device includes forming a hard mask layer on a semiconductor substrate using a hard mask composition. Hard mask patterns are formed by patterning the hard mask layer. Semiconductor patterns are formed by etching the semiconductor substrate using the hard mas
1. A manufacturing method of a semiconductor device, the method comprising: forming a hard mask layer on a semiconductor substrate using a hard mask composition;forming hard mask patterns by patterning the hard mask layer; andforming semiconductor patterns by etching the semiconductor substrate usin
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