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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 16324982 (2017-07-21) |
등록번호 | 10566208 (2020-02-18) |
우선권정보 | JP-2016-165009 (2016-08-25) |
국제출원번호 | PCT/JP2017/026553 (2017-07-21) |
국제공개번호 | WO2018/037799 (2018-03-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
A plasma etching method for etching a multilayer laminate in which a silicon oxide film and a silicon nitride film are stacked includes an etching step of plasma etching the silicon oxide film and the silicon nitride film using a gas of a non-bromine-containing fluorocarbon together with a gas of a
1. A plasma etching method for etching a multilayer laminate in which a silicon oxide film and a silicon nitride film are stacked, comprising an etching step of plasma etching the silicon oxide film and the silicon nitride film using a gas of a non-bromine-containing fluorocarbon together with a gas
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