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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0264208 (2016-09-13) |
등록번호 | US-9929021 (2018-03-27) |
우선권정보 | JP-2015-184728 (2015-09-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
A dry etching method provided to involve the steps of: (a) disposing a substrate within a chamber, the substrate having an amorphous carbon film; (b) preparing a plasma gas by converting a dry etching agent into a plasma, the dry etching agent containing at least oxygen and alkylsilane; and (c) cond
1. A dry etching method comprising the steps of: disposing a substrate within a chamber, the substrate having an amorphous carbon film;preparing a plasma gas by converting a dry etching agent into a plasma, the dry etching agent containing at least oxygen and alkylsilane; andconducting plasma etchin
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