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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | EP-0050691 (2006-02-06) |
공개번호 | WO-6082247 (2006-08-10) |
우선권정보 | FR 0501129 20050204 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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The invention concerns a field-effect transistor with a drain, a source, a channelin electrical contact with the source and the drain, and at least one gate, so asto apply an electric field to the channel when each gate is polarised, where thechannel has a multi-layer structure with at least three l
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