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게이트 폭의 변화에 따른 Multi-finger MOSFET의 특성 모델링
Multi-finger MOSFET characteristics with channel width variation 원문보기

한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9, 2008 June 19, 2008년, pp.176 - 177  

임혁상 (연세대학교 전기전자공학과) ,  강정한 (연세대학교 전기전자공학과) ,  윤일구 (연세대학교 전기전자공학과)

초록
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이 논문에서는 $0.35{\mu}m$ 공정으로 제작된 MOSFET의 고주파 동작 특성을 분석하였다. Multi-finger 형태인 게이트 폭의 길이 변화에 따른 특성 변화를 BSIM3v3 모델과 외부 기생 파라미터를 포함한 lumped element를 이용해 모델링을 하였다. 또한 Multi-finger 게이트 구조에서 게이트 finger 수의 증가에 따라 생기는 특성 변화를 각각의 구조에 따라 추출된 주요 기생 파라미터의 변화를 통해 분석하였다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • Multi・finger 레이아웃은 게이트 저항의 영향을 줄일 수 있지만 고주뫄 동작 시 구조에서 발생하는 기생성분으로 모델링과 설계에 있어 문제가 되며 BSIM3계열 모델만으로는 설명력이 미흡하다. 따라서 본 연구는 TSMC 0.35卻 공정으로 제작된 n형 Multi-finger MOSFET의 기생성분을 분석하기 위한 회로를 제안하고 채널 폭의 변화에 따른 특성 모델링을 수행하고자 한다.
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