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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A2 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0051071 (2008-01-15) |
공개번호 | WO-8089181 (2008-07-24) |
우선권정보 | US 60/880,590 20070116 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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In the growth of a SiC boule, a growth guide is provided inside of a growth crucible thatis charged with SiC source material at a bottom of the crucible and a SiC seed crystalat a top of the crucible. The growth guide has an inner layer that defines at leastpart of an opening in the growth guide and
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