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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0077189 (2013-12-20) |
공개번호 | WO-0123634 (2014-08-14) |
우선권정보 | US-201361761165 (2013-02-05); US-201313937149 (2013-07-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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A method of forming an SiC crystal including placing a seed crystal of SiC in an insulated graphite container; placing a source of Si and C atoms in the insulated graphite container, where the source of Si and C atoms is for transport to the seed crystal to grow the SiC crystal; placing the containe
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