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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0047686 (2017-08-18) |
공개번호 | WO-0035502 (2018-02-22) |
우선권정보 | US-201662377317 (2016-08-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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Magnesium Zinc Oxide (MZO) - based high voltage thin film transistor (MZO-HVTFT) is built on a transparent substrate, such as glass. The device has the circular drain and ring-shaped source and gate to reduce non-uniformity of the electric field distribution. Controlled Mg doping in the channel and
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