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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.17 no.2, 2018년, pp.6 - 11
이지수 (한국기술교육대학교 에너지신소재화학공학부) , 이규만 (한국기술교육대학교 에너지신소재화학공학부)
In this study, we have studied the effect of substrate temperature and hydrogen flow rate on the characteristics of MZO thin films for the TCO(Transparent conducting oxide). MZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering at room temperature and
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ITO 박막의 특징은? | 차세대 투명전극으로 탄소나노튜브 (Carbon nanotube), 그래핀(Graphene), 은 나노와이어(Silver nanowire) 등 여러 가지 투명전극에 대한 연구가 진행중이며 현재 보편적으로 가장 많이 사용되는 것은 ITO(indium tin oxide)이다. ITO(Indium Tin Oxide) 박막은 N-type 산화물 반도체로서 밴드갭은 약 3.5eV~4.3eV 이며 가시광선 영역에서 높은 투과도와 전기 전도도를 가지고 있다[4]. 하지만 이러한 특성을 만족하기 위해서는 250℃ 이상의 고온에서 증착 되어야 하고 300℃ 이상의 후열 처리 과정을 거쳐야 한다. | |
ITO(indium tin oxide)박막의 단점은? | 하지만 이러한 특성을 만족하기 위해서는 250℃ 이상의 고온에서 증착 되어야 하고 300℃ 이상의 후열 처리 과정을 거쳐야 한다. 고온의 후열 처리는 ITO 박막의 결정화를 가져오며 이에 따라 박막의 표면이 거칠어져 소자의 안전성을 낮추는 원인이 되기도 한다. 이뿐만 아니라 이러한 고온 공정들은 기판 사용에 제약을 불러오며 특히 Flexible display로서 활용이 힘들다. 또한 주재료인 인듐(Indium)은 매장량 제한으로 인한 비싼 가격으로 유연성이 떨어지며 인듐 자체의 독성, 스퍼터링 시 음이온 충격에 의한 박막 손상, 이에 따른 전기저항의 증가 등의 단점이 있다. OLED 증착에 있어서도 화학적으로 불안정해 유기물로 확산이 쉽게 이뤄지며 수소 플라즈마에 대한 불안전성 등의 문제점이 존재한다[5]. | |
디스플레이 산업이 발전함에 따라 요구되는 특징들은? | 디스플레이 산업이 발전함에 따라 현재의 디스플레이들은 경량화, 소형화, 우수한 화질, 유연성 등의 여러 가지 특징들이 요구되게 되었다. 이러한 요구에 맞춰 LCD (Liquid Crystal Display), LED (Light Emitting Diode), OLED (Organic Light Emitting Diode) 등의 여러 평판 디스플레이 개발에 많은 투자와 연구가 집중되고 있으며 최근에는 Flexible Display의 개발 및 연구가 활발하게 진행되고 있다. |
K. Ishibashi, K. Hirata, and N. Hosokawa, "Mass spectrometric ion analysis in the sputtering of oxide targets", Journal of Vacuum Science & Technology A., 10, pp. 1718, (1992).
K. Tominaga, T. Ueda, T. Ao, M. Kataoka, and I. Mori, "ITO films prepared by facing target sputtering system", Thin Solid Films, 281-282, pp. 194, (1996).
Y. Hoshi, H. Kato, and K. Funatsu, "ITO films deposited by facing target sputtering", Thin Solid Films, 445, pp. 245, (2003).
N. Taga, M. Maekawa, Y. Shigesato, I. Yasui, M. Kamei and T. E. Haynes, "Deposition of Heteroepitaxial $In_2O_3$ Thin Films by Molecular Beam Epitaxy", Jpn. J. Appl. Phys., 37, pp. 6524, (1998)
D. H. Zhang and H. L. Ma, "Scattering mechanisms of charge carriers in transparent conducting oxide films", Appl. Phys. A., 62, pp. 487, (1996).
M. N. Jung, J. E. Koo, S. J. Oh, B. W. Lee, W. J. Lee, S. H. Ha, Y. R. Cho, and J. H. Chang, "Influence of growth mode on the structural, optical, and electrical properties of In-doped ZnO nanorods", Appl. Phys. Lett., 94, 041906, (2009)
M. Wu, Shihui. Yu, G.H. Chen, Lin He, Lei Yang, Weifeng Zhang, "Structural, optical, and electrical properties of Mo-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering", Applied Surface Science, 324, pp. 791-796, (2015).
Chris G, Van de Walle, "Hydrogen as a Cause of Doping in Zinc Oxide", Phys. Rev. Lett., 85, pp. 1012, (2000).
H. P. Klug, L. Alexander, "X-ray Diffraction Procedures for Polycrystalline and Amorphous Materials (2nd ed)", John Wiley and Sons, New York, (1974).
J. W. Zhang, G. He, T. S. Li, M. Liu, X. S. Chen, Y. M. Liu, Z. Q. Sun, "Modulation of microstructure and optical properties of Mo-doped ZnO thin films by substrate temperature", Materials Research Bulletin, 65, pp. 7-13, (2015).
E. Ziegler, A. Heinrich, H. Oppermann, G. Stover, "Electrical properties and non-stoichiometry in ZnO single crystals", Phys. Status Solidi A, 66, pp. 635, (1981).
Anil Singh, Sujeet Chaudhary, and D. K. Pandya, "Hydrogen incorporation induced metal-semiconductor transition in ZnO:H thin films sputtered at room temperature", Appl. Phys. Lett., 102, 172106, (2013).
R. Cebulla, R. Wendt, and K. Ellmer, "Al-doped zinc oxide films deposited by simultaneous rf and dc excitation of a magnetron plasma: Relationships between plasma parameters and structural and electrical film properties", J. Appl. Phys., 83, pp. 1087-1095, (1998).
Hwa-Min Kim, Jong-Jae Kim, "Heat treatment effects on the electrical properties of $In_2O_3-ZnO$ films prepared by rf-magnetron sputtering method", Journal of the Korean Vacuum Society, 14-4, pp. 238-244, (2005).
A. Bogaerts, "Hydrogen addition to an argon glow discharge: a numerical simulation", Journal of Analytical Atomic Spectrometry, 17, pp. 768-779, (2002).
E. V. Lavrov, J. Weber, F. Borrnert, Chris G. Van de Walle, and R. Helbig, "Hydrogen-related defects in ZnO studied by infrared absorption spectroscopy", Phys. Rev. B, 66, 165205, (2002).
J. B. Webb, D. F. Williams, and M. Buchanan, "Transparent and highly conductive films of ZnO prepared by rf reactive magnetron sputtering", Appl. Phvs. Lett., 39, pp. 640, (1981).
E. Burstein, "Anomalous optical absorption limit in InSb", Phys. Rev., 93, pp. 632-633, (1954).
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