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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US2018/068093 (2018-12-31) |
공개번호 | 2019/136015 (2019-07-11) |
우선권정보 | 62/613,946 (2018-01-05); 16/198,658 (2018-11-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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In some embodiments, a first plurality of electron-microscope images for respective instances of a semiconductor structure is obtained from a first source. The electron-microscope images of the first plurality show different values of one or more semiconductor-fabrication parameters. A model is trai
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