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NTIS 바로가기국가/구분 | WIPO(WO) A1 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US2019/068716 (2019-12-27) |
공개번호 | 2020/142368 (2020-07-09) |
우선권정보 | 62/786,985 (2018-12-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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Disclosed are monolithically integrated three-dimensional (3D) DRAM array structures that include one-transistor, one-capacitor (1T1C) cells embedded at multiple device tiers of a layered substrate assembly. In some embodiments, vertical electrically conductive data-line and ground pillars extending
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