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NTIS 바로가기등록일자 | 2007-09-10 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=685a4ec19268452a89a3b3a9f7cdc921&fileSn=1&bbsId= |
○ 오늘날 PVD법은 각종 중요한 전자부품이나 장치의 개발과 제조에 꼭 필요한 기술이 되었고, 이 PVD법으로 다른 방법에서 얻을 수 없었던 미세한 고밀도 박막이나 일정한 비율의 합금 박막, 특수한 결정구조를 가진 박막 등의 각종 특성을 유도해 낼 수 있게 되었다. 그러나 막의 두께가 수 µm 이하로 매우 얇은 경우, 특히 최근에 대두되고 있는 나노 기술의 개발을 위하여 박막의 미세한 특성치는 재평가되어야 한다.
○ PVD법은 원자력 반도체 전자공학과 관련된 산업기계공업의 실용적 부분에서 다양하게 응
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