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NTIS 바로가기등록일자 | 2008-07-29 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=06fd901b019d4ee7927f90b2ad506ac1&fileSn=1&bbsId= |
○ 최근에는 디바이스 프로세스의 기술뿐만 아니라 제2게이트를 활용한 트랜지스터의 회로기술, 회로응용기술에 대하여 많은 연구가 수행되고 있다. 일본에서는 더블게이트 디바이스의 회로응용에서 2개의 게이트단자에 상이한 아날로그신호를 입력하여 아날로그믹서로서 사용할 수 있는 연구를 제안하고 있다.
○ 회로기술, 회로응용 기술에서는 트랜지스터의 특성을 동적으로 변화시켜 SRAM셀 등의 노이즈의 한계를 개선하는 연구가 수행되고 있으며, 앞으로 MOSFET의 고성능화에는 새로운 게이트전극과 게이트 절연막 재료의 개발은 필수과
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