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NTIS 바로가기등록일자 | 2008-10-14 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=adaa28bf5113434c99f740036b397ae1&fileSn=1&bbsId= |
○ MOSFET은 1953년 bipolar transistor가 탄생한 다음 해에 등장했다. 그로부터 6년 후 SiC의 가치에 대해 과학자들이 눈을 뜨기 시작했다. 그 후 약 50년이 지났지만 아직도 SiC에 대해 만족할 만한 수준까지 발전되지 못한 것은 Bandgap이 Si에 비해 훨씬 크고, 결합력이 강하여 고온용으로 적절하다는 등 몇 가지 장점이 있음에도 불구하고 극복하지 못하고 있는 문제점들이 있기 때문이다.
○ SiC MOSFET은 Si에서와 같이 SiC 표면에 SiO2 결정을 성장시킬 수 있어서 MO
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