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NTIS 바로가기등록일자 | 2010-03-31 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=3177c24ce1f54c7bb7c9c82a2b5655e3&fileSn=1&bbsId= |
?전문가 제언?
○ 본고에서는 Cz(Czokralski)법은 실리콘반도체 단결정제조에 활용하던 방법으로써 실리콘단결정 제조 시에는 시드를 실리콘 용액에 디핑(Dipping)하고 10㎛/s로 풀잉(Pulling)하여 2~6인치 직경에 길이가 약 1m의 실리콘 단결정을 제조한 방법과 유사한 원리를 사파이어 단결정제조에 적용하여 고주파 가열법으로 사파이어 단결정을 제조한 기술의 개요이다.
○ InGaN계, GaN계 박막단결정성장은 사파이어 기판위에서 헤테로에피택셜(Hetero
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