[보고서]대면적 실리콘 기판 상의 고효율 InGaN-GaN 양자우물구조

황재룡

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대면적 실리콘 기판 상의 고효율 InGaN-GaN 양자우물구조 원문보기

보고서 정보
등록일자	2012-05-24
출처	RESEAT
URL	https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=8c39e748f0ed403d941f6257d9841f8c&fileSn=1&bbsId=

초록 ▼

150mm 실리콘 기판 위에 높은 내부양자효율(IQE, internal quantum efficiencies)을 가지는 InGaN 기반의 다중양자우물(MQW, multi quantum well)을 구현하는 성장 기법을 검토한다. InGaN/GaN MQW는 대면적 (111) 실리콘 기판 위, GaN 템플레이트 위로 착상되는데, 열로 인한 균열과 웨이퍼 휨을 방지하기 위하여 AlGaN 변형완화(strain mediating) 중간층을 사용하며, MQW 구조의 활성영역에 침투전위(TD, threading dislocation) 밀도를 줄

참고문헌 (25)

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