[보고서]저전력 융합소자용 InGaAs계 화합물반도체 에피성장 공정기술 개발

박원규

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저전력 융합소자용 InGaAs계 화합물반도체 에피성장 공정기술 개발 원문보기

보고서 정보
주관연구기관	(재)한국나노기술원
연구책임자	박원규
참여연구자	신찬수 , 김창주 , 송근만 , 김동현 , 김종민 , 허종곤 , 전동환 , 박형호 , 최영수 , 고유민 , 정해용
보고서유형	1단계보고서
발행국가	대한민국
언어	한국어
발행년월	2016-03
과제시작연도	2014
주관부처	미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning
등록번호	TRKO201700010112
과제고유번호	1711022414
사업명	나노·소재기술개발
DB 구축일자	2017-10-28
키워드	III-V 족 화합물반도체.헤테로에피성장.초격자 에피성장.트랜지스터.III-V compound.semiconductor.heteroepitaxy.superlattice epitaxial layers.transistor.

초록 ▼

본 과제를 통하여 화합물 소자 전문 나노팹으로서 사물인터넷용 소자의 저소비전력화에 기여할 화합물반도체 소자의 제조 기반을 구축하고자 기술개발을 수행하였음. 국내의 이분야 선행연구자인 대학 및 연구기관에 3-5족/Si 기반의 융합소자 제작을 지원하기 위해 선행적으로 요구되는 헤테로에피성장의 나노소재 기술을 준비하였음. 지난 선행공정지원사업의 연구에서 얻어진 실리콘 기판상에 3-5족 화합물반도체 에피층 성장 공정 경험과 이 에피층의 결함 분석에 대한 축적된 경험을 바탕으로 InP/InGaAs 20층을 초격자 에피로 성장하는 결함 제어 기술을 개발하여 threading dislocation 밀도 1.43x10⁸ cm^-2를 가지는 InGaAs on Si 에피를 확보하였으며, 생산 적용 가능성 판단을 위한 기본 척도로서 6인치 Si(001) 기판상에 저준위의 전위밀도를 갖는 InGaAs/Si 에피소재와 표준소자의 모듈공정을 성공적으로 시연하였음.

( 출처 : 요약서 3p )

Abstract ▼

In order to provide high-quality fabrication processes of compound semiconductor device to related Universities, industries, and research institutes as a Nano-fab facility in Korea, we have developed advanced process platform technologies for compound semiconductor electronics and InGaAs-based devices. For the construction of a platform technology for III-V compound semiconductor electronics device fabrication, an epitaxial growth technology using superlattice buffering method by MOCVDs to obtain high-quality InGaAs heteroepitaxial layer on Si wafer.
A low defect level heteroepitaxial layer was grown on Si substrate successfully which could be a basic material to fabricate devices out of.
We have also demonstrated 6-inch-based InGaAs epitaxy on Si(001) substrate with a low threading dislocation density of 1.43x10⁸ per the area of 1cm², by low- and high-temperature growth technique and introducing InP/InGaAs superlattices.

( 출처 : SUMMARY 6p )

목차 Contents

표지 ... 1제 출 문 ... 2보고서 요약서 ... 3요 약 문 ... 4SUMMARY ... 6CONTENTS ... 7목차 ... 8제 1 장. 연구개발과제의 개요 ... 9제 2 장. 국내외 기술개발 현황 ... 14 제 1 절. 국내의 기술개발 현황 ... 14 제 2 절. 해외 대표적 기술 개발 동향 ... 14제 3 장. 연구개발 수행내용 및 결과 ... 19제 4 장. 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 52제 5 장. 연구개발결과의 활용 계획 ... 54 제 1 절. 저전력 융합소자용 InGaAs계 화합물반도체 에피성장 공정기술 개발 ... 54제 6 장. 연구개발 과정에서 수집한 해외 과학기술정보 ... 56제 7 장. 참고문헌 ... 57끝페이지 ... 59

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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