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NTIS 바로가기등록일자 | 2013-02-05 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=7b6cd0588cf44852a09fba5922dba7dd&fileSn=1&bbsId= |
상호보완용 금속산화막 반도체(CMOS: Complementary Metal-Oxid Semiconductor) 이미지 센서(image sensor)에 의해 화소의 크기가 계속 축소되고 있는 가운데, 특히 저조도 촬상(撮像) 시의 신호 대 잡음비(S/N: Signal-to-Noise Ratio)의 확보가 중요한 과제가 되고 있다. S/N을 확보하는 데에는 화소가 고 양자 효율화 및 저 혼색(crosstalk)화가 열쇠가 된다.
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