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NTIS 바로가기등록일자 | 2003-03-18 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/116562 |
문서암호: www.kosen21.org
요 약 문
파장 13nm의 극단자외광(EUV:Extream Ultra Violet)을 이용한 EUV Lithography(EUVL)은 50nm정도와 그 이하의 ULSI초정밀 미세 가공기술에 대응하는 유력한 후보기술로 부각되고 있다. 그 이유로는 고분해능 이외에 확대 마스크 패턴의 일괄축소전사로 현재의 광 리소그라피의 연장으로 높은 생산성의 기대, 광학적 근접효과의 영향이 극소화되어 OPC(광학적 근접효과보정)와 같은 마스크 패턴 데이터 설계의 부담이 경감, 노광
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