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NTIS 바로가기등록일자 | 2012-08-27 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/760308 |
1. 분석자 서문
황화아연(ZnS)은 초기에 발견된 반도체의 하나이면서 다양한 기본적 특성과 적용성을 갖고 있으며, 발광 다이오드(LEDs: light-emitting diodes)?전기장 발광?액정표시장치?적외선 윈도?센서?레이저 및 바이오 장치 등에 널리 적용되고 있다. 황화아연의 원자구조 및 화학적 특성은 산화아연(ZnO)에 비견할 만하지만, 보다 특이하고 유용한 특성을 더 많이 갖고 있다. 황화아연의 밴드갭(bandgap)은 3.72~3.77eV로서 산화아연의 밴드갭 3.4eV에 비해 높으므로, 자외선(UV)을 이용하
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