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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-0118124 (2013-10-02) | |
공개번호 | 10-2015-0039488 (2015-04-10) | |
등록번호 | 10-2083494-0000 (2020-02-25) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130118124 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-10-02) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
반도체 소자는 기판상에서 기판으로부터 이격된 위치에 연장되고 채널 영역을 가지는 적어도 하나의 나노와이어와, 채널 영역의 적어도 일부를 포위하는 게이트와, 채널 영역과 게이트와의 사이에 개재된 게이트 유전막을 포함한다. 기판으로부터 적어도 하나의 나노와이어의 일단까지 연장되는 반도체층에는 적어도 하나의 나노와이어의 일단에 접하는 소스/드레인 영역이 형성되어 있다. 기판과 적어도 하나의 나노와이어와의 사이에는 내측 절연 스페이서가 형성된다. 내측 절연 스페이서는 게이트와 소스/드레인 영역과의 사이에 개재되고 게이트 유전막과는 다른 물
기판상에서 상기 기판으로부터 이격된 위치에 연장되고 채널 영역을 가지는 적어도 하나의 나노와이어와, 상기 채널 영역의 적어도 일부를 포위하는 게이트와, 상기 채널 영역과 상기 게이트와의 사이에 개재된 게이트 유전막과, 상기 기판으로부터 상기 적어도 하나의 나노와이어의 일단까지 연장되고, 상기 적어도 하나의 나노와이어의 일단에 접하는 소스/드레인 영역을 포함하는 반도체층과, 상기 기판과 상기 적어도 하나의 나노와이어와의 사이에서 상기 게이트와 상기 소스/드레인 영역과의 사이에 개재되고 상기 게이트 유전막과는 다른 물질로 이루어지는 내
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