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NTIS 바로가기등록일자 | 2014-08-05 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/761647 |
원문 | http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/52/040001/ |
1. 분석자 서문
플래시메모리(Flash memories)는 고밀도 집적을 위해 그 기술적 한계에 다다르고 있어, 기존의 플래시메모리를 대체하기 위한 새로운 메모리들의 연구가 활발히 진행되고 있다. 플래시메모리와는 달리, 앞으로의 비휘발성 메모리는 정보 저장을 위해 전하(charge)의 저장을 기본 원리로 하지 않기 때문에, 학계나 업계 모두에게 큰 관심 대상이 되고 있다. 상변화 메모리(PCRAMs), 저항-변화 메모리(ReRAMs) 등이 이에 속하며 현재 폭넓게 연구되고 있다. 그러나 여러 가지 기술적인 어려움으로 현재까
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