초록

미래 정보기술의 발전은 새로운 소자를 만들어 내거나 현재 소자의 성능을 개선하면서 초고집적 소자를 생산하는데 크게 의존한다. 차세대 메모리 소자의 개발을 위해서는 소재의 특성뿐만 아니라, 이들을 원하는 형태로 가공할 수 있는 공정도 연구되어야 한다. 본 연구에서는 차세대 비휘발성 메모리 소자 개발, 차세대 게이트 전극 소재와 공정의 개발, 우수한 성능의 유기 반도체 소자 제작에 관한 연구를 수행하였다. 이를 통해 반도체 소자 뿐만 아니라 스마트폰, LCD, 태양 전지 등의 다양한 산업 발전에 기여하고자 한다.

Abstract ▼

Fabrication of ultra-high integrated circuits is very important for the information technology and industry in the coming future. In order to develop next generation memory devices, one should investigate the properties of materials, interfaces as well as processes which can give optimized performan

Fabrication of ultra-high integrated circuits is very important for the information technology and industry in the coming future. In order to develop next generation memory devices, one should investigate the properties of materials, interfaces as well as processes which can give optimized performance of the electronic devices. In this research, we have developed the next generation non-volatile memory devices including resistive RAM, next generation gate electrode materials for nano-CMOS applications, and high-performance organic semiconductor devices. Also processes like atomic layer deposition and chemical vapor deposition have been developed. Such achievements are expected to contribute to the improvement of semiconductor devices.

목차 Contents

• 도약연구사업(국가지정연구실) 최종보고서 ...1
• 목차 ...3
• I. 연구 계획 요약문 ...4
• 1. 국문 요약문 ...4
• II. 연구 결과 요약문 ...5
• 1. 국문 요약문 ...5
• 2. 영문 요약문 ...6
• III. 연구 내용 및 결과 ...7
• 1. 연구개발과제의 개요 ...7
• 2. 국내외 기술개발 현황 ...15
• 3. 연구수행 내용 및 결과 ...18
• 4. 목표 달성도 및 관련 분야에의 기여도 ...55
• 5. 연구결과의 활용계획 ...65
• 6. 연구과정에서 수집한 해외과학기술정보 ...66
• 7. 주관연구책임자 대표적 연구 실적 ...70
• 8. 참고 문헌 ...71
• 9. 연구 성과 ...73
• 10. 기타사항 ...93
• [별첨1] 대표연구성과 ...94