초록 ▼

1. LPCVD장비의 사양설정
LPCVD공정기술 및 이의 실현을 위한 기존장비의 변화 추세를 분석하고, IC제조공정중에서의 각 층에 요구되는 특성을 분석함으로써 개발장비의 목표하는 성능을 결정하였다.
2. LPCVD장비의 기능설계
LPCVD장비를 모듀울별로 구분하여 각 모듀울의 성능결정 및 개선 방안을 검토하고 모듀울간의 연결방안을 강구하여 장비의 제작도면을 작성했다.
3. 장비제작 및 평가
전체 시스템을 Reaction Chamber시스템, 웨이퍼로딩 시스템, 가스 공급계, 진공시스템, 제어시스템의 5개

1. LPCVD장비의 사양설정
LPCVD공정기술 및 이의 실현을 위한 기존장비의 변화 추세를 분석하고, IC제조공정중에서의 각 층에 요구되는 특성을 분석함으로써 개발장비의 목표하는 성능을 결정하였다.
2. LPCVD장비의 기능설계
LPCVD장비를 모듀울별로 구분하여 각 모듀울의 성능결정 및 개선 방안을 검토하고 모듀울간의 연결방안을 강구하여 장비의 제작도면을 작성했다.
3. 장비제작 및 평가
전체 시스템을 Reaction Chamber시스템, 웨이퍼로딩 시스템, 가스 공급계, 진공시스템, 제어시스템의 5개 주요시스템으로 구분하여 각 모듀울에 대한 조사분석 및 각 모듀울을 구성하는 부품의 원리, 장단점, 공급회사 등을 조사하여 부품을 구입하거나 자체제작을 통하여 모듀울별 제작을 수행하여 전체 시스템을 조립하였다. 그리고 전체시스템의 작동시험, 안전시험 및 사양시험을 통하여 개발한 장비시제품에 대한 하드웨어 성능평가를 수행하였다.
4. 공정시물레이션 및 DB구축
LPCVD공정에 대한 반응기구를 조사했으며 상세한 화학반응 기구의 해석은 서울대학교 자연과학대학 주광열 교수가 위탁과제로 수행하였다. 반응기의 해석은 가장 기본적인 수평관에 대하여 모델링을 한 다음 컴퓨터 프로그램을 작성, 수행하여 공정 및 장비설계에 대한 Data base를 구축하였다.
개발한 LPCVD 장비를 기본으로 하여 유사한 기능을 가진 PECVD장비로의 변형을 위해, PECVD 장비 및 응용기술에 대해 한국과학기술원 권영세교수가 위탁과제로 수행하였다.

Abstract ▼

The low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) equipment is chosen as ETRI's first equipment, because it is simple in structure and rather well understood theoretically. Theoretical and numerical analysis of an LPCVD reactor are performed to estabilish data base for machine designing and materia

The low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) equipment is chosen as ETRI's first equipment, because it is simple in structure and rather well understood theoretically. Theoretical and numerical analysis of an LPCVD reactor are performed to estabilish data base for machine designing and material processing.
The LPCVD equipment for polysilicon application is designed and manufactured on the basis of the theoretical and numerical studies. The performance of the equipment is determined from a rather detailed examination of the process requirements for the polysilicon LPCVD process. The manufactured system consists of five major modules; the reaction chamber module, the wafer loading module, the gas feeding module, the vacuum module, and the control module.
The performance test results for each of the modules and the over-all LPCVD system are given.

목차 Contents

• 제 1 장 서 론...16
• 제 2 장 CVD기술현황 분석...19
• 제 1 절 반도체 제조공정 개요...19
• 제 2 절 박막 증착 공정기술...20
• 제 3 절 CVD공정기술...26
• 제 4 절 LPCVD공정기술...33
• 제 3 장 Poly-Si LPCVD 공정연구...59
• 제 1 절 공정 요구조건 분석...59
• 제 2 절 LPCVD 반응기구 분석...71
• 제 3 절 LPCVD 반응기 수치모사...106
• 제 4 장 LPCVD 장비설계 및 제작...151
• 제 1 절 시스템 구성개요...151
• 제 2 절 Reaction Chamber 시스템...153
• 제 3 절 웨이퍼 로딩 시스템...180
• 제 4 절 가스공급계...201
• 제 5 절 진공시스템...246
• 제 6 절 제어시스템...300
• 제 7 절 Frame...325
• 제 8 절 가스누출 검사...332
• 제 5 장 시스템 테스트...345
• 제 1 절 가스누출검사 및 평가...345
• 제 2 절 Reaction Chamber 시스템...358
• 제 3 절 웨이퍼 로딩 시스템...358
• 제 4 절 가스공급계...359
• 제 5 절 진공시스템...361
• 제 6 장 결 론...364