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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 민석기 |
참여연구자 | 김무성 , 박승철 , 조재신 , 한철원 , 조훈영 , 김용 , 엄경숙 , 김은규 , 김춘근 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1986-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200001540 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | GaAs 화합물.반도체 재료.GaAs 단결정.wafer 제조.VPE.MOCVD.LED.Laser Diode. |
=== 연구 내용 === 1. GaAs 단결정 wafer 제조 및 특성 측정 2. VPE 및 MOCVD에 의한 2원계 및 3원계 화합물 반도체 에피 결정 성장 3. LED 및 laser diode 제조 기술 개발 4. 단결정 wafer 및 에피결정층의 결함 조사
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