초록 ▼

== 연구개발의 내용 및 범위 === 고순도 텅스텐 금속 첨단 전자 소재 개발 연구 는 세분할 경우 국내 부존 자원인 텅스텐 광을 제련하여 얻은 파라 텅스테이트 를 대한중석 (주) 으로부터 공급 받아 일단 재용해한 다음 적절한 조건하에서 이온 교환수지법 및 용매 추출법에 의해 불순물 제거 또한 대한중석 (주) 산 텅스텐 금속 (순도 99.9%)을 염화 제련하여 불순물을 제거하는 방법으로 대별할 수 있다. 가장 효과적이고 현 한국 실정에 적합하고 경제적이며 제조 시설이 간단하고 적용 범위가 넓은 제조 공정 기술을 채택하고 준공장 규모

== 연구개발의 내용 및 범위 === 고순도 텅스텐 금속 첨단 전자 소재 개발 연구 는 세분할 경우 국내 부존 자원인 텅스텐 광을 제련하여 얻은 파라 텅스테이트 를 대한중석 (주) 으로부터 공급 받아 일단 재용해한 다음 적절한 조건하에서 이온 교환수지법 및 용매 추출법에 의해 불순물 제거 또한 대한중석 (주) 산 텅스텐 금속 (순도 99.9%)을 염화 제련하여 불순물을 제거하는 방법으로 대별할 수 있다. 가장 효과적이고 현 한국 실정에 적합하고 경제적이며 제조 시설이 간단하고 적용 범위가 넓은 제조 공정 기술을 채택하고 준공장 규모인 파일롯트 플란트 로 자체 개발 하는 것이다. 위에서 열거한 이온 교환 수지법, 염화 제련법 및 용매 추출법 중에서 가장 불순물 제거에 효과적인 방법은 염화제련법이었다. 그러나 염화제련법은 텅스텐 염화물의 수소 환원시 텅ㅅ텐의 수율이 낮으며 또한 조업상의 많은 어려움과 장치 설비에서 염화제련에 적합한 소재의 선택등의 어려움등 해결해야 할 점이 너무 많아 어려움과 장치설비에 염화제련에 적합한 소재의 선택등의 어려움 등 기준치 안에 포함되며 정제된 텅스텐을 완전히 회수할 수 있는 용매 추출법을 선정하였다. 이와같이 얻어진 용매 추출법의 기초 연구 결과를 토대로 하여 파일롯트 플란트 건설에 있어서는 당실 연구원들이 BASIC CRITERIA, 기본 설계를 담당하였고 상세 설계는 코리아 엔지니어링(주)에 용역 처리하여 1986년 9월 15일에 시운전에 들어가 양산 조건을 확립하기 위한 연구 시험을 할 예정이다.

목차 Contents

• 제1장 서론...18
• 제2장 이온교환수집법에 의한 텅스텐 및 몰리브덴금속중의 불순물의 제거...21
• 제3장 염화제련법에 의한 텅스텐금속중의 불순물의 제거...32
• 제4장 텅스텐화합물(APT)로 부터 용매유출법에 의한 불순물(U 및 Th)의 제거...57
• 제5장 용매유출법에 의한 고순도 텅스텐금속의 파일롯트 플란트 건설...82
• 제6장 제1차년도 결론...95
• 참고문헌...97