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초미세패턴 및 응용기술 개발
Development and Application of Fine Pattern Technology on GaAs 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 마동성
참여연구자 강광남 , 이정일 , 이유종 , 김동명 , 전성민 , 한일기
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1989-06
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
등록번호 TRKO200200003476
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 초미세 패턴.화합물 반도체.E-Beam 직접묘사.설계 자동화.초막막.Fine Pattern.Compound Semiconductor.MESFET.Subthreshold.E-Beam Lithography.

초록 ▼

화합물 반도체를 이용한 초미세패턴 응용기술 및 초박막 성장기술을 통한 초고속,초고주파 광.전 집적회로 소자개발을 위하여 소자설계 분야에서 초고속,초고주파 소자설계 이론을 정립하고 자동화 설계 프로그램을 개발하였다.소자제조기술 분야에서 초고주파 소자의 능동 및 수동소자 제조 공정기술을 개발하였으며 특히,0.2μm에 이르는 초미세 패턴 형성기술을 확보하여 신기능 소자의 제조가 가능하게 되었다. 소자특성분야에서 반도체소자의 DC 및 RF 특성측정 및 분석기술을 확립하고 GaAs MESFET의 Subthreshold 전류 특성을 체계적으로

목차 Contents

  • 제 1 장 서 론...14
  • 제 2 장 초미세 패턴 응용소자 공정기술...20
  • 제 1 절 수동소자 및 microstripline, Via hole공정...20
  • 제 2 절 MESFET 및 MMIC공정...49
  • 제 3 절 SEM을 이용한 초미세 패턴 형성...56
  • 제 3 장 DC및 초고주파 특성 평가...60
  • 제 1 절 MESFET의 Subthreshold 전류 특성...60
  • 제 2 절 FET backgate 및 sidegate효과...69
  • 제 3 절 MESFET의 subthreshold 전류 모델...72
  • 제 4 절 Heterostructure 특성 평가...82
  • 제 5 절 초고주파 특성측정 및 해석...91
  • 제 6 절 IBM-PC 호환기종을 이용한 능동소자의 DC 특성 측정 program개발...101
  • 제 4 장 초미세 패턴 응용 초고주파 소자 설계...104
  • 제 1 절 Resistor, Inductor, Capacitor...104
  • 제 2 절 Oscillator...117
  • 제 3 절 Dual-gate MESFET을 이용한 mixer...129
  • 제 4 절 광대역 증폭기 설계와 최적화 알고리즘...159
  • 제 5 장 초미세 패턴 응용소자를 위한 공정장비개발...186
  • 제 1 절 2-chamber evaporator의 설계, 제작...186
  • 제 2 절 PECVD시스템 및 RF generator 제작...189
  • 제 3 절 활성화 이온식각 및 플라즈마 식각장비 개발...198
  • 제 4 절 SEM을 개조한 e-beam 직접묘사장치 개발...199
  • 제 6 장 결론 및 건의...209
  • 참고문헌...212

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참고문헌 (25)

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