초록 ▼

컴퓨터에 의해 완전 자동조작이 되는 MOVPE 장치를 자체적으로 설계, 제작하였다. 이 장치를 이용하여 CdTe/GaAs 박막단결정의 제조를 위한 기본 연구를 수행하였다. 성장온도와 MO-가스의 몰비를 변화시켜가면서 성장된 CdTe 박막의 결정형태, 표면형상, 결정방위등의 변화를 관찰하였다.
재료특성평가 분야에서는 DCXR 장치를 설계제작하고 CdTe 에피박막의 결함분석을 위한 X-TEM 기술을 개선시켰다.
DCXR의 설계를 위해서는 기존의 문헌에 발표된 기술사항을 참고하였고, 기존의 X-선 발생장치에 결함이 가능한 장치

컴퓨터에 의해 완전 자동조작이 되는 MOVPE 장치를 자체적으로 설계, 제작하였다. 이 장치를 이용하여 CdTe/GaAs 박막단결정의 제조를 위한 기본 연구를 수행하였다. 성장온도와 MO-가스의 몰비를 변화시켜가면서 성장된 CdTe 박막의 결정형태, 표면형상, 결정방위등의 변화를 관찰하였다.
재료특성평가 분야에서는 DCXR 장치를 설계제작하고 CdTe 에피박막의 결함분석을 위한 X-TEM 기술을 개선시켰다.
DCXR의 설계를 위해서는 기존의 문헌에 발표된 기술사항을 참고하였고, 기존의 X-선 발생장치에 결함이 가능한 장치를 제작하였다. CdTe 에피박막의 DCRC 분석 가능성을 검토하기 위해서 단결정 CdTe 시료를 사용하여 제작된 DCXR의 성능을 조사하였다. 쌘드위치 형태의 X-TEM 시편을 제작해서 CdTe/GaAs의 단면을 TEM을 직접 관찰하였다. CdTe와 GaAs의 계면형상을 관찰하고, 전자회절을 이용하여 CdTe 박막의 결정방위를 분석하고 CdTe 내에 격자결함을 조사하였다.

목차 Contents

• 제1장 서론...13
• 제1절 연구개발의 필요성...13
• 제2절 연구개발목표...17
• 제2장 MOVPE방법에 의한 CdTe반도체 박막의 제조...18
• 제1절 MOVPE 장치의 설계와 제작...18
• 1. 자동제어장치...18
• 2. 유입부...21
• 3. 반응부...27
• 4. 배기부...37
• 제2절 실험방법...38
• 1. 실험조건의 설정...39
• 2. GaAs기판의 예비처리...45
• 3. CdTe 성장...46
• 제3절 CdTe 박막성장 및 분석...50
• 1. 결정의 형태...51
• 2. 박막의 방위...54
• 3. 표면형상...57
• 4. 박막표면의 조성...61
• 제3장 CdTe 단결정 박막의 재료특성 분석...63
• 제1절 이론적 고찰...63
• 1. CdTe의 결정구조와 격자결함...63
• 2. 에피박막의 응력...69
• 3. Heteroepitaxy 박막의 격자결함...73
• 4. Heteroepitaxy CdTe의 격자결함...83
• 5. Heteroepitaxy 박막의 결함분석...86
• 제2절 CdTe/GaAs 박막의 결정결함 분석방법...92
• 1. DCXR 분석법...92
• 2. 단면전자현미경 (X-TEM) 관찰...95
• 제3절 결과 및 고찰...96
• 1. DCRC...96
• 2. X-TEM 관찰결과 및 고찰...98
• 제4장 결론...107
• 참고문헌...109
• 부록 A...114