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정보산업용 핵심소재 개발;MOVPE 법에 의한 HgCdTe 박막 단결정제도 및 재료특성평가기술 개발
Development of an MOVPE Growth Process and Characterization Techniques of HgCdTe Layers 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 최인훈
참여연구자 서상희 , 금동화 , 송원준 , 문성욱 , 김진상
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1991-08
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
등록번호 TRKO200200004893
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 CdTe/GaAs.MOVPE.X-TEM.DCD.CdTe/GaAs.MOVPE.X-TEM.DCD.

초록 ▼

MOVPE 장치를 개선하여 대기압에서 CdTe/GaAs 박막성장이 이루어지게 하였다. 기판을 pre-baking 하지 않음으써 (100) 방위의 박막을 얻었으며 성장온도와 MO-기체농도,총 기체유량을 변화시키며 박막의 표면현상을 관찰하였다.DCD법에 의해 박막의 결정성을 평가하였다.박막이 얇을수록 요동곡선의 반치폭이 증가함을 알 수 있었다.X-TEM 시편제조기술을 향상시켜 CdTe/GaAs 계면의 결함구조를 관찰하였다.기판에서 약 600A거리에 부정합 전위의 Net-work이 존재하며 이 부근에서 발생한 쌍점이 박막의 피라밋 Hil

목차 Contents

  • 제1장 서론...14
  • 제1절 연구개발의 필요성...14
  • 제2절 연구개발 동향...15
  • 제3절 연구개발목표...16
  • 제4절 1차년도 주요 연구결과...18
  • 제2장 MOVPE방법에 의한 CdTe 반도체 박막의 제조...20
  • 제1절 MOVPE장치의 개선...20
  • 제2절 CdTe/GaAs 박막의 표면형상...21
  • 제3절 CdTe/GaAs 박막의 방위...32
  • 제3장 CdTe 단결정 박막의 재료특성 분석...35
  • 제1절 DCD 분석...35
  • 제2절 X-TEM 분석...39
  • 제4장 결 론...46
  • 참 고 문 헌...48
  • 부 록 A...50

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참고문헌 (25)

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