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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
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연구책임자 | 이진효 |
참여연구자 | 천동우 , 이윤우 , 오계환 , 김성주 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1989-00 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
등록번호 | TRKO200200004891 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 기억소자.설계.공정.소자 배선.리소그라피.셀구조.기판접합기술.위상반전마스크.엑시머레이저스텝퍼.엑시머레이저레지스트.엑스레이레지스트.실리콘웨이퍼.Memory.Design.Device.Cell.16M DRAM.64MDRAM.Ltithography.Etch.Capacitor.Interconnection.SDB.PSM.Excimer.X-Ray.Si Wafer. |
초고집적 반도체기술(차세대 기억소자) 공동개발사업은 당초 목표대로 0.5~0.6㎛ 16M DRAM 및 0.4㎛ 64M DRAM 시제품이 개발되었으며 관련 장비 및 재료의 시제품도 개발되었다. 16M DRAM은 1991. 3월까지, 64M DRAM은 1992. 11월 금성, 삼성, 현대 모두 개발하였으며, 이밖에 단위 공정기술로 배선공정, 입체축전공정기술, 미세형상 및 식각기술을 개발하였고, 요소기술로 여러가지 Cell 구조, SDB 기술, SOI 소자기술, PSM 및 DDM 기술을 개발하였다. 그리고 RIE, ECR Etcher,
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