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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
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연구책임자 | 강상원 |
참여연구자 | 유정선 , 이대우 , 전영진 , 송원철 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1987-05 |
등록번호 | TRKO200500021458 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
하루하루 급속하게 발전해 나가는 미래 정보화사회에 필요한 모든 첨단기기에 가장 필수적으로 사용되는 기억소자의 기술개발은 다른 VLSI 보다 더욱 더 그 발전속도를 더해가서 소자의 대용량화, 고신뢰화, 고집적화, 저소비전력화를 이루기 위해 지속적인 노력이 경주되고 있다.IC 산업의 견인차이자 반도체시장 신장의 주도 품목이라고 할 수 있는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 기억소자의 경우, 1970년에 1K DRAM이 Intel 사에
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