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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 박종철 |
참여연구자 | 최무용 , 한재원 , 한영기 , 조광행 , 이은화 , 서성환 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-10 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
등록번호 | TRKO200200004919 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 고온초전도체.박막성장.스퍼터링 방식.전기적 특성.열기전력.YBa/sub z/Cu/sub 3/O/sub 7/-/sub y/.High-Temperature Superconductor.Thin-Film Fabrication.Sputtering Method.Electronic Property.Thermoelectric Power.YBa/sub z/Cu/sub 3/O/sub 7/-/sub y/. |
Single-Target Off-Axis DC-Magnetron Sputtering 방법으로 Mgo(100)기판위에 YBa/sub z/Cu/sub 3/O/sub 7/-/sub y/박막을 In-Situ제조할 때, 기판온도, Sputtering기체의 총압력과 분압비, Target과 기판사이의 거리, 인가전류등의 성장변수들이 박막 성장에 미치는 영향을 조사하였다. 기판온도 670℃,총 압력 300 mtorr,분압비 5:1,기판과 Target 사이의 수평거리 55mm, 수직거리 40-50mm,인가 전류 300-500mA 부근에서 임계온도
It is known that there are many variable which influence the quality of high-Tc superconductor films. These variables are related and influence each other and therefore finding the optimum value of each variable is not an easy task. We have studied systematically the optimum conditions for in-situ p
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