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반도체의 Hall 이동도 평가기술 개발(제1차년도)
Development of Evaluation Technique of Hall Mobility in Semiconductors 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국표준과학연구원
Korea Research Institute of Standards and Science
연구책임자 노삼규
참여연구자 임국형 , 이주인
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1993-01
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국표준과학연구원
Korea Research Institute of Standards and Science
등록번호 TRKO200200009205
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 Hall 효과.van der Pauw.전하밀도.Hall 이동도.비저항.MBE.반도체.GaAs.Hall Effect.van der Pauw.Carrier Concentration.Hall Mobility.Resistivity.MBE.Semiconductor.GaAs.

초록 ▼

=== 연구개발의 내용 및 범위 === 상온 및 중저온 (77-400K) 온도영역에서 측정가능한 저자기장(0-10kG)Hall 효과 측정장치를 제작하고, MBE 방법으로 성장한 GaSs:Si 박막에서의 Hall 효과의 전하밀도 및 온도 의존성을 평가하였다. 1차년도에 수행한 본 연구의 내용과 범위는 다음과 같다. ** 액체질소 glass Dewar(77K/300K)를 설계하여 제작함. ** 온도가변 액체질소 Cryostat(77-400K)을 설계하여 주문 제작. ** MBE로 성장한 GaAs:Si =10/sup 13/-10/sup

목차 Contents

  • 제1장 서 론...13
  • 제2장 Hall 효과 측정이론...15
  • 제1절 6-Bridged Bar 시료의 Hall 효과...15
  • 제2절 Van der Pauw 시료의 Hall 효과...19
  • 제3장 Hall 소자 및 Hall 효과 측정장치...22
  • 제1절 Hall 소자 제작...22
  • 제2절 Ohmic Contact 용 RTA 장치...25
  • 제3절 액체질소 저온장치 및 전자석...28
  • 1. 액체질소 저온장치...28
  • 2. Hall 효과 측정용 전자석...29
  • 제4절 Hall 효과 측정장치...34
  • 제4장 MBE로 성장한 GaAs:Si 박막의 전기적 특성 평가...39
  • 제1절 Hall 효과의 전하밀도 의존성...39
  • 제2절 Hall 효과 온도 의존성...44
  • 제5장 결 론...51

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