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반도체 회로의 Reliability 향상에 관한 연구
A Study on the Development of Interconnect Reliability 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 신명철
참여연구자 정영훈 , 이규환 , 지광구 , 한준현
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1997-09
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
등록번호 TRKO200200009848
DB 구축일자 2013-04-18

초록

목차 Contents

  • 제1장. 서론...11
  • 제2장. 연구의 배경...13
  • 제1절. Electromigration 이란 ?...13
  • 제2절. 박막에서의 Electromigration...14
  • 1. 공공의 생성과 성장...14
  • 2. Flux Divergency를 일으키는 인자...15
  • 3. Line의 단선시간...15
  • 4. EM 파괴거동에 영향을 미치는 인자...17
  • 제3절. 활성화에너지와 전류지수...18
  • 제4절. 연구방향...20
  • 제3장. 실험방법...22
  • 제1절. 미세구조변화와 EM특성...22
  • 1. 시료제작...22
  • 2. 열처리...23
  • 3. EM시험...23
  • 4. 미세구조관찰...25
  • 제2절. 미세구조변화에 따른 전류지수 n값 변화...26
  • 1. 시료제작...26
  • 2. 열처리...26
  • 3. EM시험...26
  • 4. SEM,TEM관찰...27
  • 5. AES분석...27
  • 제4장. 연구 결과 및 고찰...28
  • 제1절. 미세구조변화와 EM특성...28
  • 1. Post-pattern 어닐링의 영향...28
  • 2. 시효처리의 영향...38
  • 제2절. 미세구조변화에 따른 전류지수 n값 변화...47
  • 1. 미세구조 관찰...47
  • 2. AES분석...49
  • 3. 전류지수 n값 결정...52
  • 제5장. 결론...62
  • 제6장. 참고문헌...64

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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