초록 ▼

HB 법이나 LEC법에 의하여 결성 성장된 GaAs 단결정 웨이퍼의 특성은 GaAs 웨이퍼를 기판으로 사용하여 어피층을 성장시키고 이로 부터 제조되는 각종 GaAs 반도체 소자의 성능, 수명 및 제조원가등에 큰 영향을 주며 이러한 GaAs 웨이퍼의 특성중에는 여러가지 구조적, 물리적, 화학적 및 전기적 특성이 포함되는데 그 중에서도 단결정내의 구조 결함, 주로 전위 밀도가 극히 적어야만 된다.
본 연구에서는 HB 법으로 성장시킨 미국 CSI사와 한국과학기술원의 GaAs 단결정 웨이퍼를 시료로 선정하여 (100), (11

HB 법이나 LEC법에 의하여 결성 성장된 GaAs 단결정 웨이퍼의 특성은 GaAs 웨이퍼를 기판으로 사용하여 어피층을 성장시키고 이로 부터 제조되는 각종 GaAs 반도체 소자의 성능, 수명 및 제조원가등에 큰 영향을 주며 이러한 GaAs 웨이퍼의 특성중에는 여러가지 구조적, 물리적, 화학적 및 전기적 특성이 포함되는데 그 중에서도 단결정내의 구조 결함, 주로 전위 밀도가 극히 적어야만 된다.
본 연구에서는 HB 법으로 성장시킨 미국 CSI사와 한국과학기술원의 GaAs 단결정 웨이퍼를 시료로 선정하여 (100), (110), (111)A, (111)B 등 여러 결정면의 경우에 있어서 여러가지 에칭 용액을 사용하여 에치피트(etch pit)를 관찰하고 에치피트 밀도(EPD)를 측정할 수 있는 최적 에칭 조건을 확립하였으며 결정 성장 형태를 관찰하기 위하여 질산-불산-물로 구성된 에칭용액을 사용하여 (100)면의 에치힐록(etch hillock)의 구조를 광학 및 전자현미경으로 관찰하였다. 또한 본 연구에서는 GaAs웨이퍼를 냉간 가공 후 열처리 하였을 때와 화학적 에칭 후 열처리하였을 때의 전기적 특성을 측정함으로써 캐리어(carrier) 농도와 항복전압(break down voltage)의 변화를 조사하여 냉간가공과 열처리에 의한 구조결함 즉 전위밀도의 증가가 캐리어 농도와 항복전압 변화와 상관 관계가 있음을 구명하였다.

목차 Contents

• 표지...1
• 1. 서 론...7
• 2. 실 험 방 법...9
• 3. 실험결과 및 검토...13