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적외방사가열을 이용한 CVD, 에피택시, 전기로 겸용장치의 제작
Fabrication of the Combined Equipment for CVD, Epitaxy and Electrical Furnace Using IR Emission 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 서울시립대학교
University Of Seoul
연구책임자 김철주
참여연구자 김성환 , 홍완희
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1988-05
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 서울시립대학교
University Of Seoul
등록번호 TRKO200200011872
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 IR Emission.CVD.Epitaxy.furnace.

초록

적외방사 가열방식을 이용하여 완벽한 dry process를 실현 시킬 수 있는 최소형의 CVD 에피택시 및 전기로 겸용의 장치를 개발하였다.
적외방사에는 적외선 램프와 할로겐 램프를 사용하며, 반사판은 금도금 처리하여 램프의 열효율을 균일하게 함과 동시에 시료의 적외선 흡수를 이용하여 시료 자체가 바발열 되도록 하였다. 본 장치를 이용하여 새로운 열산화 방법을 개발하였다.

목차 Contents

  • I. 서론...5
  • II. 실험장치...5
  • III. 장치의 평가 및 검토...8
  • IV. 박막의 성장 및 성장특성...9
  • 4.1 각종박막의 성장실험...9
  • 4.2 Polysilicon...10
  • 4.3 Silicon dioxide...13
  • 4.4 Silicon Nitride...16
  • 4.5 P S G...19
  • 4.6 B S G...20
  • 4.7 B N...22
  • V. 방사가열원이 Si의 흡수효과와 OSF성장에 미치는 영향...24
  • 5.1 서론...24
  • 5.2 실험방법...25
  • 5.3 Si에서의 흡수효과...26
  • 5.4 산화적층결함에 미치는 영향...28
  • VI. 결론...30
  • 참고문헌...31
  • 부록...36

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