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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 Seoul National University |
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연구책임자 | 한송엽 |
참여연구자 | 한민구 , 경종민 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1988-10 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 서울대학교 Seoul National University |
등록번호 | TRKO200200012023 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
반도체문제를 유한요소법으로 해석하는데 있어서 해의 안정성과 정확도를 향상시키기 위하여 2단계구조를 갖는 적응유한요소법을 제시하였다. 제 1단계에서는 계산중에 해가 발산 또는 진동되는 원인을 찾아 이를 제거하는 방향으로 요소를 분해하여 감으로써 반복해석시 해의 수렴성이 확보되도록 하였으며 제 2단계에서는 해의 정확도를 높이기 위하여 전류의 연속성을 고려한 상대오차함수를 구성하여 요소를 재분할 함으로써 보다 정확한 해 및 전류분포를 구할 수 있도록 하였다.
2차원 MESFET 모델에 적용해본 결과 임의의 초기요소망과 초기치에 대해
A two-step-processor of adaptive mesh refinement is introduced. In the first step, the main factors of divergence in the current continuity equations are eliminated by appropriated mesh refinement based on a stability analysis, then the mesh is re-discretized in the second step to improve the accura
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