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유한요소법에 의한 반도체장치의 2차원적 해석과 모델링
Two Dimensional Analysis and Modeling of Semiconductor Devices by Finite Element Method. 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 서울대학교
Seoul National University
연구책임자 한송엽
참여연구자 한민구 , 경종민
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1988-10
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 서울대학교
Seoul National University
등록번호 TRKO200200012023
DB 구축일자 2013-04-18

초록

반도체문제를 유한요소법으로 해석하는데 있어서 해의 안정성과 정확도를 향상시키기 위하여 2단계구조를 갖는 적응유한요소법을 제시하였다. 제 1단계에서는 계산중에 해가 발산 또는 진동되는 원인을 찾아 이를 제거하는 방향으로 요소를 분해하여 감으로써 반복해석시 해의 수렴성이 확보되도록 하였으며 제 2단계에서는 해의 정확도를 높이기 위하여 전류의 연속성을 고려한 상대오차함수를 구성하여 요소를 재분할 함으로써 보다 정확한 해 및 전류분포를 구할 수 있도록 하였다.
2차원 MESFET 모델에 적용해본 결과 임의의 초기요소망과 초기치에 대해

Abstract

A two-step-processor of adaptive mesh refinement is introduced. In the first step, the main factors of divergence in the current continuity equations are eliminated by appropriated mesh refinement based on a stability analysis, then the mesh is re-discretized in the second step to improve the accura

목차 Contents

  • 제1장 서론...10
  • 제2장 반도체 방정식...14
  • 2.1 전류 방정식...14
  • 2.2 전류 연속 방정식...15
  • 2.3 포아슨 방정식...16
  • 2.4 반도체 지배 방정식...17
  • 2.5 경계 조건...19
  • 2.5.1 포아슨 방정식...19
  • 2.5.2 전류 연속 방정식...20
  • 제3장 유한 요소법의 적용...21
  • 3.1 포아슨 방정식...21
  • 3.2 전류 연속 방정식...24
  • 제4장 유한요소 해의 안정성 고찰...28
  • 4.1 일차 요소에 의한 안정성 조건...28
  • 4.2 2차 요소에 의한 안정성 조건...34
  • 제5장 이중 구조 적응 요소법...38
  • 5.1 제1단계 적응요소 분할...38
  • 5.1.1 제1단계 적응 분할 과정...39
  • 5.1.2 요소 분할 방법...41
  • 5.2 제2단계 적응요소분할...44
  • 5.2.1 확산항에 대한 오차 추정...45
  • 5.2.2 전계항에 대한 오차 추정...46
  • 5.2.3 요소 분할 방법...47
  • 5.3 적용 과정...49
  • 제6장 적용 사례...52
  • 6.1 제1적응 요소 분할...52
  • 6.2 초기해 설정에 따른 제1분할 사례...52
  • 6.3 제2적응 요소 분할...62
  • 6.4 전류-전압 곡선...67
  • 제7장 결론...91
  • 참고문헌...93
  • 부록 A...102
  • 부록 B...110
  • 부록 C...111

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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